삼성 전자는 14nm FinFET 공정 개발에 이정표 획기적인 발표

GlobalFoundries, 인텔은 연속적으로 그들의 자신의 14nm 신기술 홍보, 삼성 전자는 오늘 또한 다른 이정표 돌파구, 그리고 디자인, IP를 달성 하기 위해도 14nm FinFET 프로세스 개발 성공적으로 다양 한 개발 캐리어 스트리밍 파트너 발표 했다.

동시에 삼성도 체결 팔 14nm 공정 물리적 IP, 도서관 계약, SOC 제조 기술 힘의 팔에서 삼성을 계속.

14nm FinFET 공정 개발의 일환으로, 삼성 전자 미국 팔, 종 지, 멘토, Synopsys와 다른 eco 파트너 완료 테스트 칩 일 완전 팔 피 질-A7 프로세서를 포함 하 여 다양 한 SRAM 칩, 아날로그 IP 배열에 그렇게 임계값 전압 근처 작업할 수 있습니다.

또한 팔와 이전, 종 지에는 14nm FinFET 프로세스 팔 피 층 M0 프로세서 테스트 칩 스트리밍 IBM 협력.

14NM 피 질-A7 프로세서의 성공을 삼성 14NM 기술의 가장 중요 한 혁신 이며 그것은 또한 공장 무료 기업에 대 한 새로운 희망. A7, A15 팔 큰 자연 쌍입니다. 작은 전략 낮은 전력에 대 한 책임은 높은-성능, 그리고 성공적인 배포에이 FinFET 트랜지스터 하지만 또한 팔의 새로운 플랫폼의 미래 가능성을 확인 합니다. 다음 단계는 코텍 스-a15 스트리밍 시도 하는.

삼성 전자는 현재 32/28nm HKMG 공정에 비해 말했다 14nm FinFET 기술 SOC 칩 누설 속도 동적 전력 소비에 더 향상 됩니다.

삼성 전자의 14nm FinFET 프로세스 설계 키트 제공 되었습니다 고객에 게 제품의 디자인을 즉시 시작할 수 있습니다 하지만 그것은 대량 생산에 투자할 것 이다 때 삼성 공개 하지는.

아마도 삼성 전자의 모든이 애플과는 아무 상관이 있을 것 이다. 삼성이는 길에서 애플 높은 TSMC, 또한 우 애플 16nm 과정을 시작 하는 새로운 공장을 구축 하려고 선택 하는 것입니다.