深入理解ARM體系架構（S3C6410）—S3C6410儲存映射

參考文章：http://blog.csdn.net/eagle_lzt/article/details/6310094

參考文章：http://www.threeway.cc/sitecn/InformationInfo.aspx?pid=1637&tid=1380

S3C6410的實體記憶體分成Memory和Pheriperal兩部分，位址範圍分別為0x0~0x6fffffff和0x7fffffff~0xffffffff。系統通過 SPINE匯流排訪問Memory空間，通過PERI匯流排訪問Pheriperal空間。而為了適應不同外設的訪問速度，又分別通過AHB匯流排訪問LCD、 Camera、Accelerator等高速外設，通過APB匯流排訪問iic、watchdog等低速外設。

Memory：

（1）啟動鏡像區物理地址為0x00000000~0x07ffffff，共128MB，是用來啟動系統的。但是這個範圍內並沒有實際的儲存介質與之對應，只能在通過OM[4:0]選擇具體的啟動介質後再把相應介質的物理地址映射到這個啟動區，比如說選擇了IROM 啟動方式後，就把IROM所佔的地址空間映射為0x00000000開始的空間。引導鏡像區反映一個鏡像，這個鏡像指向記憶體的一部分地區或者靜態儲存區。引導鏡像的開始地址是0x0000_0000。

 

（2）內部記憶體區物理地址為0x08000000~0x0fffffff，共128MB。這個地區對應著內部的記憶體位址，內部的ROM和SRAM都是分布在這個區間。其中，0x08000000~0x0bffffff對應著內部ROM，當然實際上內部的ROM也並沒有64MB這麼多，只有32KB是有實際儲存介質的，這32KB是一個唯讀區，放的是IROM方式下的啟動代碼，選擇IROM啟動的時候首先啟動並執行代碼就是這一部分，稱為BL0，這部分代碼由廠家固化。0x0c000000~0x0fffffff對應內部SRAM，可讀可寫，當NAND
快閃記憶體啟動被選擇時能映射到引導鏡像區。  。

 

（3）靜態記憶體區物理地址為0x10000000~0x3fffffff，共6*128MB。這個地區用於訪問掛在外部匯流排上的裝置，比如說SRAM、NOR flash、oneNand等。這個地區被分割為6個bank，每個bank為128MB，資料寬度最大支援16bit，每個bank通過 Xm0CS[5:0]來劃定。和S3C2410 不一樣的是，bank2~bank5能映射到nand flash、CF等非線性儲存空間，這並不是說可以通過bank2~bank5的位址區段就能直接存取nand
flash、CF內部的地址，相反，當映射到這些器件的時候這些bank的地址也不能再使用了，訪問這些非線性儲存空間還是得通過Pheriperal空間的AHB匯流排進行，和S3C2410中的訪問方式是一樣的。不過有一個特例是，當Xm0CS2被映射到nand flash的時候，Steppingstone的SRAM被映射到bank2開始的4KB，而在以nand flash方式啟動的時候bank2被映射到0x00000000開始的地方，實際上就是把Steppingstone映射到0x0000000了，這和 S3C2410的情況還是相似的。

 

（4）動態記憶體區物理地址為0x40000000~0x6fffffff，共3*256MB。其中第一個256MB為保留區，實際使用的動態記憶體區為 0x50000000~0x6fffffff，又分為2個區間，分別佔256MB，可以通過DMC的Xm1CS[1:0]來進行著2個區間的選擇。這個記憶體區主要是擴充DRAM，最大可以擴充512MB的DRAM。

2.Pheriperal外設地區通過PERI 匯流排被訪問，它的位址範圍是0x7000_0000～0x7FFF_FFFF。這個位址範圍的所有的SFR能被訪問。而且如果資料需要從NFCON或CFCON 傳輸，這些資料需要通過PERI匯流排傳輸。

特殊裝置地址空間：

AHB匯流排儲存空間映射