SCCB 匯流排和I2C匯流排區別（轉載 ）

轉載地址：user1/2524/archives/2008/49949.html SCCB匯流排

SCCB是簡化的I2C協議，SIO-l是串列時鐘輸入線，SIO-O是串列雙向資料線，分別相當於I2C協議的SCL和SDA。SCCB的匯流排時序與I2C基本相同，它的響應訊號ACK被稱為一個傳輸單元的第9位，分為Don’t care和NA。Don’t care位由從機產生;NA位由主機產生，由於SCCB不支援多位元組的讀寫，NA位必須為高電平。另外，SCCB沒有重複起始的概念，因此在SCCB的讀周期中，當主機發送完片內寄存器地址後，必鬚髮送匯流排停止條件。不然在發送讀命令時，從機將不能產生Don’t care響應訊號。 由於I2C和SCCB的一些細微差別，所以採用GPIO類比SCCB匯流排的方式。SCL所串連的引腳始終設為輸出方式，而SDA所串連的引腳在資料轉送過程中，通過設定IODIR的值，動態改變引腳的輸入/輸出方式。SCCB的寫周期直接使用I2C匯流排協議的寫周期時序;而SC-CB的讀周期，則增加一個匯流排停止條件。 SCCB是和I2C相同的一個協議。    SIO_C和SIO_D分別為SCCB匯流排的時鐘線和資料線。目前，SCCB匯流排通訊協定只支援100Kb/s或400Kb/s的傳輸速度，並且支援兩種地址形式：①從裝置地址（ID Address，8bit），分為讀地址和寫地址，高7位用於選中晶片， 第0位是讀/寫控制位（R/W），決定是對該晶片進行讀或寫操作；②內部寄存器單元地址（Sub_ Address，8bit），用於決定對內部的哪個寄存器單元進行操作，通常還支援地址單元連續的多位元組順序讀寫操作。SCCB控制匯流排功能的實現完全是依靠SIO_C、SIO_D兩條匯流排上電平的狀態以及兩者之間的相互配合實現的。SCCB匯流排傳輸的啟動和停止條件  過程：採用簡單的三相(Phase)寫資料的方式，即在寫寄存器的過程中先發送OV7649的ID地址（ID Address），然後發送寫資料的目地寄存器地址（Sub_address），最後發送要寫入的資料（Write Data）,見圖3。如果給連續的寄存器寫資料，寫完一個寄存器後，OV7649會自動把寄存器地址加1，程式可繼續向下寫，而不需要再次輸入ID地址，從而三相寫資料變為了兩相寫資料，由於本系統只需對有限個不連續寄存器進行配置，如果採用對全部寄存器都加以配置這一方法的話，會浪費很多時間和資源，所以我們只對需要更改資料的寄存器進行寫資料。對於每一個需更改的寄存器，都採用三相寫資料的方法。