幾種記憶體資料的總結，幾種記憶體資料總結

幾種記憶體資料的總結，幾種記憶體資料總結

MemSQL

原理：將不用鎖的資料結構和即時編譯器結合起來應對大容量的工作負載，在記憶體中實現了免鎖的hashtable和免鎖skiplists（一種層級關係的鏈表結構）來快速隨機訪問資料。

持久性：MemSQL儘管在記憶體中存資料，可以通過寫日誌和快照（類似於checkpoint）對資料持久化到磁碟

複製：MemSQL目前支援master-slave的複製方式，它支援本地複製協議能將交易記錄轉運到slave上。

分布式架構：基於彙總器和葉子節點的理念進行工作，一個葉子節點就是一個MemSQL的資料庫，彙總器負責分解查詢到相關的葉子節點上，同時將結果彙總回用戶端。

GemFire基於記憶體的分布式叢集系統，分布式記憶體資料平台的技術原理如所示：通過雲端運算平台虛擬化技術，將若干X86伺服器的記憶體集中起來，組成最高可達數十TB的記憶體資源集區，將全部資料載入到記憶體中，進行記憶體計算。計算過程本身不需要讀寫磁碟，只是定期將資料同步或非同步方式寫到磁碟。GemFire在分布式叢集中儲存了多份資料，任何一台機器故障，其它機器上還有備份資料，因此通常不用擔心資料丟失，而且有磁碟資料作為備份。GemFire支援把記憶體資料持久化到各種傳統的關聯式資料庫、Hadoop庫和其它檔案系統中,12306之前採用Unix小型機架構，採用GemFire技術改造成Linux/X86伺服器叢集架構，就意味著一下跨越三代。從小型機到大記憶體X86伺服器叢集，不僅讓效能提升了一個數量級，而且成本也要低得多。

Neo4j是一個嵌入式，基於磁碟的，支援完整事務的Java持久化引擎，它在圖(網路)中而不是表中儲存資料。Neo4j提供了大規模可擴充性，在一台機器上可以處理數十億節點/關係/屬性的圖，可以擴充到多台機器並行運行。相對於關聯式資料庫來說，圖資料庫善於處理大量複雜、互串連、低結構化的資料，這些資料變化迅速，需要頻繁的查詢——在關聯式資料庫中，這些查詢會導致大量的表串連，因此會產生效能上的問題。Neo4j重點解決了擁有大量串連的傳統RDBMS在查詢時出現的效能衰退問題。通過圍繞圖進行資料建模，Neo4j會以相同的速度遍曆節點與邊，其遍曆速度與構成圖的資料量沒有任何關係。此外，Neo4j還提供了非常快的圖演算法、推薦系統和OLAP風格的分析，而這一切在目前的RDBMS系統中都是無法實現的。

VOLTDB是一種開源的運行在叢集上的OLTP資料庫，智能快速資料的唯一記憶體解決方案，它提供了記憶體的效能，NoSQL的可擴充性，完全的流能力和傳統關係型資料庫的連續性，在密室和雲環境下它提供了可靠和容錯性。資料表被分割在叢集的多個伺服器上，相容SQL和ACID，可以線上擴充，使用並行的單線程處理方式確保資料的一致性，避免傳統資料庫的鎖和資源管理的開銷，但是由於VOLTDB的資料分析是基於SNA，資料分布策略是基於雜湊的，採用這種方法後，叢集規模是事先確定好的，新增機器需要停止服務後重新分配資料，另外，資料雜湊被分散後，資料的連續性被打亂，在這個資料結構上做範圍查詢需要用服務這張表的所用機器，處理範圍查詢效率會很低下。

SAP HANA主要是用於主要資料分析用的，hana可以抽取其他類型的資料，在hana上快速的分析，SAP HANA與傳統分析模型的主要區別在於摒棄了任何物質化的東西，即，所有模型都是完全虛擬，均基於基本的具體運營資料計算結果，這樣，模型就能夠被方便的修改。它採用資料字典的方法對資料進行壓縮，最小化資料轉送;把大資料量和計算量分散到不同處理器上，不同的伺服器之間共用一組資料，單一的伺服器的DOWN機將不影響任何計算，成本特別貴，幾千萬。

記憶體條有幾種?怎識別大小?型號?

我們在攢電腦的時候一般只是注意記憶體的容量和記憶體的效能指標，例如DDR266 DDR333之類的。但是你知道嗎，同樣的記憶體根據他的品牌，出廠時間以及批號不同，它具有著不同的效能和穩定性，本文將著重和您探討不同品牌記憶體之間的效能和穩定性的差異以及同品牌但批號不同的記憶體的效能差異。另外，本文還將重點涉及記憶體的制假和售假的方法。將向您徹底揭露正品記憶體和深圳“油條”的鑒別方法。(什麼是油條？這裡不賣豆漿，下文中將相信向您講授油條的做法)
鑒於SDRAM已經走到了生命的盡頭，即將完全脫出市場，RDRAM應用不廣DDRII記憶體還未量產。所以本文將只涉及市場主流的DDR記憶體。
我們先來說一下記憶體的基本知識，歸納成一句話就是：什麼是記憶體？
記憶體就是隨機存貯器（Random Access Memory，簡稱為RAM）。RAM分成兩大類：靜態隨機儲存空間，即Static RAM（SRAM）和動態隨機儲存空間，Dynamic RAM（DRAM），我們經常說的“系統記憶體”就是指後者，DRAM。
SRAM是一種重要的記憶體，它的用途廣泛，被應用在各個領域。SRAM的速度非常快，在快速讀取和重新整理時可以保持資料完整性，即保持資料不丟失。SRAM內部採用的是雙穩態電路的形式來儲存資料，為了實現這種結構，SRAM的電路結構非常複雜，往往要採用大量的晶體管來構造寄存器以保留資料。採用大量的晶體管就需要大量的矽，因此就增加了晶片的面積，無形中增加了製造成本。製造相同容量的SRAM比DRAM的成本貴許多，因此，SRAM在PC平台上就只能用於CPU內部的一級緩衝以及內建的二級緩衝。而我們所說的“系統記憶體”使用的應該是DRAM。由於SRAM的成本昂貴，其發展受到了嚴重的限制，目前僅有少量的網路伺服器以及路由器上使用了SRAM。
DRAM的應用比SRAM要廣泛多了。DRAM的結構較SRAM要簡單許多，它的內部僅僅由一個MOS管和一個電容組成，因此，無論是整合度、生產成本以及體積，DRAM都比SRAM具有優勢。目前，隨著PC機的不斷髮展，我們對於系統記憶體的要求越來越大，隨著WindowXP的推出，軟體對於記憶體的依賴更加明顯：在WindowsXP中，專業版至少需要180MB記憶體以上，而在實際使用中，128MB才能保證系統正常運行。因此，隨著PC的發展，記憶體的容量將不斷擴大，速度也會不斷提升。
好了，下面我們在來說一下記憶體的速度問題。我們選擇記憶體的速度，決定於你選用CPU的前端匯流排，例如你用的是P4A那你不需要用DDR400才能滿足3.2G頻寬得需要因為P4A的前端匯流排是400MHZ，普通得DDR266能夠提供2。1GB的頻寬，此種記憶體適用於ATHLONXP低頻以及毒龍等中低端配置.已經不在主流市場之內。DDR333能夠提供2.7GB的記憶體頻寬適用於AMD166MHZ外頻的巴頓處理器。而DDR400記憶體以及DDR433 DDR450記憶體將能夠提供3.2GB以上的記憶體頻寬，主要應用在INTEL高端的P4C P4E上以及ATHLON64上面。當然，上文所述的僅僅是能夠滿足硬體系統的最低要求，由於p4的前端匯流排的提高,記憶體和CPU之間瓶頸問題已經十分嚴重,新的內竄技術必將產生.例如我們後面簡要介紹到的雙通道DDR和未來的DDR記憶體.當然,如果您擁有一顆像毒龍1.6G，ATHLONXP1800+(b0 1.5V低壓版)，P41.8A ，AthlonXP2000+ ，P42.4C 巴頓2500+這樣的具有極品超品潛力的CPU那麼我推薦您購買高一個效能檔次的記憶體，例如Athlon2000+配合......餘下全文>>
 
記憶體類型有哪幾種?

經常見到的記憶體按出現的先後為：EDO,SD,DDR,DDR2,DDR3。

而實際上記憶體種類很多。

根據組成元件的不同，RAM記憶體又分為以下十八種：

01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取記憶體）：

這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位儲存單元，DRAM將每個記憶體位作為一個電荷儲存在位儲存單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要重新整理一次，否則資料會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作電腦內的主儲存空間。

02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取儲存空間）

靜態，指的是記憶體裡面的資料可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位儲存單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理記憶體處理速度更快更穩定，往往用來做快取。

03.VRAM（Video RAM，視頻記憶體）

它的主要功能是將顯卡的視頻資料輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶片的工作負擔。它採用雙資料口設計，其中一個資料口是並行式的資料輸出入口，另一個是串列式的資料輸出口。多用於進階顯卡中的高檔記憶體。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取記憶體）

改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模組。傳統的DRAM在存取一個BIT的資料時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫資料。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出資料行地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程式和資料在記憶體中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出資料行地址就可以得到所需要的資料。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續地區內的資料時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。

05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸資料輸出動態隨機存取記憶體）

這是繼FPM之後出現的一種儲存空間，一般為72Pin、168Pin的模組。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 資料時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效資料，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標準記憶體，後期的486系統開始支援EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。

06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆髮式延伸資料輸出動態隨機存取記憶體）

這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶片上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突髮式的讀取方式，也就是當一個資料地址被送出後，剩下的三個資料每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組資料，速度比EDO DRAM快。但支援BEDO DRAM記憶體的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支援（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。

07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取記憶體）

MoSys公司提出的一種記憶體規格，其內部分成......餘下全文>>