什麼是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區別 .

文章轉自網路：

      ROM和RAM指的都是半導體儲存空間，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持資料，而RAM通常都是在掉電之後就遺失資料，典型的RAM就是電腦的記憶體。 


RAM有兩大類，一種稱為靜態RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存放裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩衝，二級緩衝。另一種稱為動態RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留資料的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，電腦記憶體就是DRAM的。 


DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這裡介紹其中的一種DDR RAM。


DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在於它可以在一個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料轉送速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了Intel的另外一種記憶體標準－Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高頻寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 


記憶體工作原理：


記憶體是用來存放當前正在使用的（即執行中）的資料和程式，我們平常所提到的電腦的記憶體指的是動態記憶體（即DRAM），動態記憶體中所謂的"動態"，指的是當我們將資料寫入DRAM後，經過一段時間，資料會丟失，因此需要一個額外設電路進行記憶體重新整理操作。


具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的儲存單中繼存放區的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是資料丟失的原因；重新整理操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持資料的連續性。 


ROM也有很多種，PROM是可程式化的ROM，PROM和EPROM（可擦除可程式化ROM）兩者區別是，PROM是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程式，是一種通用的儲存空間。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。 


舉個例子，手機軟體一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最後撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過記錄（通話記錄儲存在EEPROM中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓使用者忍無可忍的。


FLASH儲存空間又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可程式化（EEPROM）的效能，還不會斷電遺失資料同時可以快速讀取資料（NVRAM的優勢），隨身碟和MP3裡用的就是這種儲存空間。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作為它們的存放裝置，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作儲存Bootloader以及作業系統或者程式碼或者直接當硬碟使用（隨身碟）。 


目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。


NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，使用者可以直接運行裝載在NOR FLASH裡面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。


NAND Flash沒有採取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的Flash比較廉價。使用者不能直接運行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。 


一般小容量的用NOR Flash，因為其讀取速度快，多用來儲存作業系統等重要訊息，而大容量的用NAND FLASH，最常見的NAND FLASH應用是嵌入式系統採用的DOC（Disk On Chip）和我們通常用的"閃盤"，可以線上擦除。目前市面上的FLASH 主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生產NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba。


NAND Flash和NOR Flash的比較


NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel於1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR和NAND快閃記憶體。


相"flash儲存空間"經常可以與相"NOR儲存空間"互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來儲存少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高資料存放區密度的理想解決方案。 


NOR是現在市場上主要的非易失快閃記憶體技術。NOR一般只用來儲存少量的代碼；NOR主要應用在代碼儲存介質中。NOR的特點是應用簡單、無需專門的介面電路、傳輸效率高，它是屬於晶片內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程式可以直接在（NOR型）flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。NOR flash佔據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分。


NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。


1、效能比較:


flash快閃記憶體是非易失儲存空間，可以對稱為塊的儲存空間單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為1。


由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。


執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的效能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小檔案時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇儲存解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素：


● NOR的讀速度比NAND稍快一些。


● NAND的寫入速度比NOR快很多。


● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。


● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。


● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。


(註：NOR FLASH SECTOR擦除時間視品牌、大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的SECTOR擦除時間為60ms，而有的需要最大6s。)


2、介面差別:


NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。


NAND器件使用複雜的I/O口來串列地存取資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和資料資訊。


NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的儲存空間就可以取代硬碟或其他塊裝置。


3、容量和成本:


NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。


NOR flash佔據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼儲存介質中，NAND適合於資料存放區，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC儲存卡市場上所佔份額最大。文章轉自網路：

      ROM和RAM指的都是半導體儲存空間，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持資料，而RAM通常都是在掉電之後就遺失資料，典型的RAM就是電腦的記憶體。 


RAM有兩大類，一種稱為靜態RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存放裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩衝，二級緩衝。另一種稱為動態RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留資料的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，電腦記憶體就是DRAM的。 


DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這裡介紹其中的一種DDR RAM。


DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在於它可以在一個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料轉送速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了Intel的另外一種記憶體標準－Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高頻寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 


記憶體工作原理：


記憶體是用來存放當前正在使用的（即執行中）的資料和程式，我們平常所提到的電腦的記憶體指的是動態記憶體（即DRAM），動態記憶體中所謂的"動態"，指的是當我們將資料寫入DRAM後，經過一段時間，資料會丟失，因此需要一個額外設電路進行記憶體重新整理操作。


具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的儲存單中繼存放區的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是資料丟失的原因；重新整理操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持資料的連續性。 


ROM也有很多種，PROM是可程式化的ROM，PROM和EPROM（可擦除可程式化ROM）兩者區別是，PROM是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程式，是一種通用的儲存空間。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。 


舉個例子，手機軟體一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最後撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過記錄（通話記錄儲存在EEPROM中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓使用者忍無可忍的。


FLASH儲存空間又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可程式化（EEPROM）的效能，還不會斷電遺失資料同時可以快速讀取資料（NVRAM的優勢），隨身碟和MP3裡用的就是這種儲存空間。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作為它們的存放裝置，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作儲存Bootloader以及作業系統或者程式碼或者直接當硬碟使用（隨身碟）。 


目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。


NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，使用者可以直接運行裝載在NOR FLASH裡面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。


NAND Flash沒有採取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的Flash比較廉價。使用者不能直接運行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。 


一般小容量的用NOR Flash，因為其讀取速度快，多用來儲存作業系統等重要訊息，而大容量的用NAND FLASH，最常見的NAND FLASH應用是嵌入式系統採用的DOC（Disk On Chip）和我們通常用的"閃盤"，可以線上擦除。目前市面上的FLASH 主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生產NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba。


NAND Flash和NOR Flash的比較


NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel於1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR和NAND快閃記憶體。


相"flash儲存空間"經常可以與相"NOR儲存空間"互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來儲存少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高資料存放區密度的理想解決方案。 


NOR是現在市場上主要的非易失快閃記憶體技術。NOR一般只用來儲存少量的代碼；NOR主要應用在代碼儲存介質中。NOR的特點是應用簡單、無需專門的介面電路、傳輸效率高，它是屬於晶片內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程式可以直接在（NOR型）flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。NOR flash佔據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分。


NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。


1、效能比較:


flash快閃記憶體是非易失儲存空間，可以對稱為塊的儲存空間單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為1。


由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。


執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的效能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小檔案時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇儲存解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素：


● NOR的讀速度比NAND稍快一些。


● NAND的寫入速度比NOR快很多。


● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。


● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。


● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。


(註：NOR FLASH SECTOR擦除時間視品牌、大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的SECTOR擦除時間為60ms，而有的需要最大6s。)


2、介面差別:


NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。


NAND器件使用複雜的I/O口來串列地存取資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和資料資訊。


NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的儲存空間就可以取代硬碟或其他塊裝置。


3、容量和成本:


NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。


NOR flash佔據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼儲存介質中，NAND適合於資料存放區，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC儲存卡市場上所佔份額最大。