電路設計基礎知識（二）

一、 中國半導體器件型號命名方法
半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、複合管、PIN型管、雷射器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：
第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極體、3-三極體
第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極體時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示三極體時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型矽材料、D-NPN型矽材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F3MHz,Pc1W）、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢複管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-複合管、PIN-PIN型管、JG-雷射器件。
第四部分：用數字表示序號
第五部分：用漢語拼音字母表示規格號
例如：3DG18表示NPN型矽材料高頻三極體
日本半導體分立器件型號命名方法
二、日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：
第一部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極體三極體及上述器件的組合管、1-二極體、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。
第二部分：日本電子工業協會JEIA註冊標誌。S-表示已在日本電子工業協會JEIA註冊登記的半導體分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控矽、G-N控制極可控矽、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控矽。
第四部分：用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始，表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號；不同公司的效能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是近期產品。
第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產品標誌。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。
美國半導體分立器件型號命名方法
三、美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下：
第一部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非軍用品。
第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極體、2=三極體、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。
第三部分：美國電子工業協會（EIA）註冊標誌。N-該器件已在美國電子工業協會（EIA）註冊登記。
第四部分：美國電子工業協會登記順序號。多位元字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。
第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP矽高頻小功率開關三極體，JAN-軍級、2-三極體、N-EIA 註冊標誌、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。
四、 國際電子聯合會半導體器件型號命名方法
德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都採用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁頻寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如矽、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用複合材料及光電池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的類型及主要特徵。A-檢波開關混頻二極體、B-變容二極體、C-低頻小功率三極體、D-低頻大功率三極體、E-隧道二極體、F-高頻小功率三極體、G-複合器件及其他器件、H-磁敏二極體、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極體、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關管、X-倍增二極體、Y-整流二極體、Z-穩壓二極體。
第三部分：用數字或字母加數字表示登記號。三位元字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位元字-表示專用半導體器件的登記序號。
第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標誌。
除四個基本部分外，有時還加尾碼，以區別特性或進一步分類。常見尾碼如下：
1、穩壓二極體型號的尾碼。其尾碼的第一部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差範圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其尾碼第二部分是數字，表示標稱穩定電壓的整數數值；尾碼的第三部分是字母V，代表小數點，字母V之後的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。
2、整流二極體尾碼是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
3、晶閘管型號的尾碼也是數字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。
如：BDX51-表示NPN矽低頻大功率三極體，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極體。
五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法
歐洲有些國家，如德國、荷蘭採用如下命名方法。
第一部分：O-表示半導體器件
第二部分：A-二極體、C-三極體、AP-光電二極體、CP-光電三極體、AZ-穩壓管、RP-光電器件。
第三部分：多位元字-表示器件的登記序號。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型產品。
俄羅斯半導體器件型號命名法由於使用少，在此不介紹。
一、半導體二極體參數符號及其意義
CT---勢壘電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度係數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度係數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；矽整流管、矽堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），矽開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈衝電流。發光二極體極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極體起輝電流
IFRM---正向重複峰值電流
IFSM---正向不重複峰值電流（浪湧電流）
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調製電流
IEM---發射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈衝電流
IP---峰點電流
IV---穀點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；矽堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；矽開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重複平均電流
IDR---晶閘管斷態平均重複電流
IRRM---反向重複峰值電流
IRSM---反向不重複峰值電流（反向浪湧電流）
Irp---反向恢複電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
IZSM---穩壓二極體浪湧電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢複電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極體穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數；電容比
Q---優值（品質因素）
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
PB---承受脈衝燒毀功率
PFT（AV）---正嚮導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正嚮導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PM---額定功率。矽二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈衝功率
PMS---最大承受脈衝功率
Po---輸出功率
PR---反向浪湧功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重複浪湧功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正嚮導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
Rz(ru)---動態電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態電阻
Ta---環境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復
tg---電路換向關斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結溫
Tjm---最高結溫
ton---開通時間
toff---關斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復
ts---儲存時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
a---溫度係數
λp---發光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態重複峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VRRM---反向重複峰值電壓（反向浪湧電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---穀點電壓
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓範圍電壓增量
Vs---通向電壓（訊號電壓）或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度係數
Vk---膝點電壓（穩流二極體）
VL ---極限電壓
二、雙極型晶體管參數符號及其意義
Cc---集電極電容
Ccb---集電極與基極間電容
Cce---發射極接地輸出電容
Ci---輸入電容
Cib---共基極輸入電容
Cie---共發射極輸入電容
Cies---共發射極短路輸入電容
Cieo---共發射極開路輸入電容
Cn---中和電容（外電路參數）
Co---輸出電容
Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coe---共發射極輸出電容
Coeo---共發射極開路輸出電容
Cre---共發射極反饋電容
Cic---集電結勢壘電容
CL---負載電容（外電路參數）
Cp---並聯電容（外電路參數）
BVcbo---發射極開路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo---基極開路，CE結擊穿電壓
BVebo--- 集電極開路EB結擊穿電壓
BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓
BV cer---基極與發射極串接一電阻，CE結擊穿電壓
D---占空比
fT---特徵頻率
fmax---最高振蕩頻率。當三極體功率增益等於1時的工作頻率
hFE---共發射極靜態電流放大係數
hIE---共發射極靜態輸入阻抗
hOE---共發射極靜態輸出電導
h RE---共發射極靜態電壓反饋係數
hie---共發射極小訊號短路輸入阻抗
hre---共發射極小訊號開路電壓反饋係數
hfe---共發射極小訊號短路電壓放大係數
hoe---共發射極小訊號開路輸出導納
IB---基極直流電流或交流電流的平均值
Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
IE---發射極直流電流或交流電流的平均值
Icbo---基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo---發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Iebo---基極接地，集電極對地開路，在規定的反向電壓VEB條件下，發射極與基極之間的反向截止電流
Icer---基極與發射極間串聯電阻R，集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時，集電極與發射極之間的反向截止電流
Ices---發射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Icex---發射極接地，基極與發射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發射極之間的反向截止電流
ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
IBM---在集電極允許耗散功率的範圍內，能連續地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值
ICMP---集電極最大允許脈衝電流
ISB---二次擊穿電流
IAGC---正向自動控制電流
Pc---集電極耗散功率
PCM---集電極最大允許耗散功率
Pi---輸入功率
Po---輸出功率
Posc---振蕩功率
Pn---雜訊功率
Ptot---總耗散功率
ESB---二次擊穿能量
rbb''---基區擴充電阻（基區本徵電阻）
rbb''Cc---基極-集電極時間常數，即基極擴充電阻與集電結電容量的乘積
rie---發射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻
roe---發射極接地，在規定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻
RE---外接發射極電阻（外電路參數）
RB---外接基極電阻（外電路參數）
Rc ---外接集電極電阻（外電路參數）
RBE---外接基極-發射極間電阻（外電路參數）
RL---負載電阻（外電路參數）
RG---訊號源內阻
Rth---熱阻
Ta---環境溫度
Tc---管殼溫度
Ts---結溫
Tjm---最大允許結溫
Tstg---貯存溫度
td----延遲時間
tr---上升時間
ts---存貯時間
tf---下降時間
ton---開通時間
toff---關斷時間
VCB---集電極-基極（直流）電壓
VCE---集電極-發射極（直流）電壓
VBE---基極發射極（直流）電壓
VCBO---基極接地，發射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEBO---基極接地，集電極對地開路，發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEO---發射極接地，基極對地開路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER---發射極接地，基極與發射極間串接電阻R，集電極與發射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES---發射極接地，基極對地短路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX---發射極接地，基極與發射極之間加規定的偏壓，集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓
Vp---穿通電壓。
VSB---二次擊穿電壓
VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數）
Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數）
VEE---發射極（直流）電源電壓（外電路參數）
VCE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降
VBE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下，基極-發射極飽和壓降（前向壓降）
VAGC---正向自動增益控制電壓
Vn(p-p)---輸入端等效雜訊電壓峰值
V n---雜訊電壓
Cj---結（極間）電容， 表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度係數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度係數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；矽整流管、矽堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），矽開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈衝電流。發光二極體極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極體起輝電流
IFRM---正向重複峰值電流
IFSM---正向不重複峰值電流（浪湧電流）
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調製電流
IEM---發射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈衝電流
IP---峰點電流
IV---穀點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；矽堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；矽開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重複平均電流
IDR---晶閘管斷態平均重複電流
IRRM---反向重複峰值電流
IRSM---反向不重複峰值電流（反向浪湧電流）
Irp---反向恢複電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
IZSM---穩壓二極體浪湧電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢複電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極體穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數；電容比
Q---優值（品質因素）
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
PB---承受脈衝燒毀功率
PFT（AV）---正嚮導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正嚮導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PM---額定功率。矽二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈衝功率
PMS---最大承受脈衝功率
Po---輸出功率
PR---反向浪湧功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重複浪湧功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正嚮導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
Rz(ru)---動態電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態電阻
Ta---環境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復
tg---電路換向關斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結溫
Tjm---最高結溫
ton---開通時間
toff---關斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復
ts---儲存時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
a---溫度係數
λp---發光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態重複峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VRRM---反向重複峰值電壓（反向浪湧電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---穀點電壓
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓範圍電壓增量
Vs---通向電壓（訊號電壓）或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度係數
Vk---膝點電壓（穩流二極體）
VL ---極限電壓
三、場效應管參數符號意義
Cds---漏-源電容
Cdu---漏-襯底電容
Cgd---柵-源電容
Cgs---漏-源電容
Ciss---柵短路共源輸入電容
Coss---柵短路共源輸出電容
Crss---柵短路共源反向傳輸電容
D---占空比（占空係數，外電路參數）
di/dt---電流上升率（外電路參數）
dv/dt---電壓上升率（外電路參數）
ID---漏極電流（直流）
IDM---漏極脈衝電流
ID(on)---通態漏極電流
IDQ---靜態漏極電流（射頻功率管）
IDS---漏源電流
IDSM---最大漏源電流
IDSS---柵-源短路時，漏極電流
IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流）
IG---柵極電流（直流）
IGF---正向柵電流
IGR---反向柵電流
IGDO---源極開路時，截止柵電流
IGSO---漏極開路時，截止柵電流
IGM---柵極脈衝電流
IGP---柵極峰值電流
IF---二極體正向電流
IGSS---漏極短路時截止柵電流
IDSS1---對管第一管漏源飽和電流
IDSS2---對管第二管漏源飽和電流
Iu---襯底電流
Ipr---電流脈衝峰值（外電路參數）
gfs---正向跨導
Gp---功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
GPD---共漏極中和高頻功率增益
ggd---柵漏電導
gds---漏源電導
K---失調電壓溫度係數
Ku---傳輸係數
L---負載電感（外電路參數）
LD---漏極電感
Ls---源極電感
rDS---漏源電阻
rDS(on)---漏源通態電阻
rDS(of)---漏源斷態電阻
rGD---柵漏電阻
rGS---柵源電阻
Rg---柵極外接電阻（外電路參數）
RL---負載電阻（外電路參數）
R(th)jc---結殼熱阻
R(th)ja---結環熱阻
PD---漏極耗散功率
PDM---漏極最大允許耗散功率
PIN--輸入功率
POUT---輸出功率
PPK---脈衝功率峰值（外電路參數）
to(on)---開通延遲時間
td(off)---關斷延遲時間
ti---上升時間
ton---開通時間
toff---關斷時間
tf---下降時間
trr---反向恢復
Tj---結溫
Tjm---最大允許結溫
Ta---環境溫度
Tc---管殼溫度
Tstg---貯成溫度
VDS---漏源電壓（直流）
VGS---柵源電壓（直流）
VGSF--正向柵源電壓（直流）
VGSR---反向柵源電壓（直流）
VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數）
VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數）
Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數）
VGS(th)---開啟電壓或閥電壓
V（BR）DSS---漏源擊穿電壓
V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓
VDS(on)---漏源通態電壓
VDS(sat)---漏源飽和電壓
VGD---柵漏電壓（直流）
Vsu---源襯底電壓（直流）
VDu---漏襯底電壓（直流）
VGu---柵襯底電壓（直流）
Zo---驅動源內阻
η---漏極效率（射頻功率管）
Vn---雜訊電壓
aID---漏極電流溫度係數
ards---漏源電阻溫度係數
電路設計基礎知識（5）——繼電器一、繼電器的工作原理和特性 　　
繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統（又稱輸入迴路）和被控制系統（又稱輸出迴路），通常應用於自動控制電路中，它實際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動開關”。故在電路中起著自動調節、安全保護、轉換電路等作用。
1、電磁繼電器的工作原理和特性
電磁式繼電器一般由鐵芯、線圈、銜鐵、觸點簧片等組成的。只要線上圈兩端加上一定的電壓，線圈中就會流過一定的電流，從而產生電磁效應，銜鐵就會在電磁力吸引的作用下克服返回彈簧的拉力吸向鐵芯，從而帶動銜鐵的動觸點與靜觸點（常開觸點）吸合。當線圈斷電後，電磁的吸力也隨之消失，銜鐵就會在彈簧的反作用力返回原來的位置，使動觸點與原來的靜觸點（常閉觸點）吸合。這樣吸合、釋放，從而達到了在電路中的導通、切斷的目的。對於繼電器的“常開、常閉”觸點，可以這樣來區分：繼電器線圈未通電時處於斷開狀態的靜觸點，稱為“常開觸點”；處於接通狀態的靜觸點稱為“常閉觸點”。
2、熱敏幹簧繼電器的工作原理和特性
熱敏幹簧繼電器是一種利用熱敏磁性材料檢測和控制溫度的新型熱敏開關。它由感溫磁環、恒磁環、幹簧管、導熱安裝片、塑料襯底及其他一些附件組成。熱敏幹簧繼電器不用線圈勵磁，而由恒磁環產生的磁力驅動開關動作。恒磁環能否向幹簧管提供磁力是由感溫磁環的溫控特性決定的。
3、固態繼電器（SSR）的工作原理和特性
固態繼電器是一種兩個接線端為輸入端，另兩個接線端為輸出端的四端器件，中間採用隔離器件實現輸入輸出的電隔離。
固態繼電器按負載電源類型可分為交流型和直流型。按開關型式可分為常開型和常閉型。按隔離型式可分為混合型、變壓器隔離型和光電隔離型，以光電隔離型為最多。.
二、繼電器主要產品技術參數
1、額定工作電壓
　　是指繼電器正常工作時線圈所需要的電壓。根據繼電器的型號不同，可以是交流電壓，也可以是直流電壓。
2、直流電阻
　　是指繼電器中線圈的直流電阻，可以通過萬能表測量。
3、吸合電流
　　是指繼電器能夠產生吸合動作的最小電流。在正常使用時，給定的電流必須略大於吸合電流，這樣繼電器才能穩定地工作。而對於線圈所加的工作電壓，一般不要超過額定工作電壓的1.5倍，否則會產生較大的電流而把線圈燒毀。
4、釋放電流
　是指繼電器產生釋放動作的最大電流。當繼電器吸合狀態的電流減小到一定程度時，繼電器就會恢複到未通電的釋放狀態。這時的電流遠遠小於吸合電流。
5、觸點切換電壓和電流
　是指繼電器允許載入的電壓和電流。它決定了繼電器能控制電壓和電流的大小，使用時不能超過此值，否則很容易損壞繼電器的觸點。
三、繼電器測試
1、測觸點電阻
　　用萬能表的電阻檔，測量常閉觸點與動點電阻，其阻值應為0；而常開觸點與動點的阻值就為無窮大。由此可以區別出那個是常閉觸點，那個是常開觸點。
2、測線圈電阻
　　可用萬能表R×10Ω檔測量繼電器線圈的阻值，從而判斷該線圈是否存在著開路現象。
3、測量吸合電壓和吸合電流
　　找來可調穩壓電源和電流表，給繼電器輸入一組電壓，且在供電迴路中串入電流表進行監測。慢慢調高電源電壓，聽到繼電器吸合聲時，記下該吸合電壓和吸合電流。為求準確，可以試多幾次而求平均值。
4、測量釋放電壓和釋放電流
　　也是像上述那樣串連測試，當繼電器發生吸合後，再逐漸降低供電電壓，當聽到繼電器再次發生釋放聲音時，記下此時的電壓和電流，亦可嘗試多幾次而取得平均的釋放電壓和釋放電流。一般情況下，繼電器的釋放電壓約在吸合電壓的10~50％，如果釋放電壓太小（小於1/10的吸合電壓），則不能正常使用了，這樣會對電路的穩定性造成威脅，工作不可*。
四、繼電器的電符號和觸點形式
繼電器線圈在電路中用一個長方框符號表示，如果繼電器有兩個線圈，就畫兩個並列的長方框。同時在長方框內或長方框旁標上繼電器的文字元號“J”。繼電器的觸點有兩種表示方法：一種是把它們直接畫在長方框一側，這種標記法較為直觀。另一種是按照電路串連的需要，把各個觸點分別畫到各自的控制電路中，通常在同一繼電器的觸點與線圈旁分別標註上相同的文字元號，並將觸點組編上號碼，以示區別。繼電器的觸點有三種基本形式：
1.動合型（H型）線圈不通電時兩觸點是斷開的，通電後，兩個觸點就閉合。以合字的拼音字頭“H”表示。
2.動斷型（D型）線圈不通電時兩觸點是閉合的，通電後兩個觸點就斷開。用斷字的拼音字頭“D”表示。
3.轉換型（Z型）這是觸點組型。這種觸點組共有三個觸點，即中間是動觸點，上下各一個靜觸點。線圈不通電時，動觸點和其中一個靜觸點斷開和另一個閉合，線圈通電後，動觸點就移動，使原來斷開的成閉合，原來閉合的成斷開狀態，達到轉換的目的。這樣的觸點組稱為轉換觸點。用“轉”字的拼音字頭“z”表示。
五、繼電器的選用
1.先瞭解必要的條件：①控制電路的電源電壓，能提供的最大電流；②被控制電路中的電壓和電流；③被控電路需要幾組、什麼形式的觸點。選用繼電器時，一般控制電路的電源電壓可作為選用的依據。控制電路應能給繼電器提供足夠的工作電流，否則繼電器吸合是不穩定的。
2.查閱有關資料確定使用條件後，可尋找相關資料，找出需要的繼電器的型號和規格號。若手頭已有繼電器，可依據資料核對是否可以利用。最後考慮尺寸是否合適。
3.注意器具的容積。若是用於一般用電器，除考慮機箱容積外，小型繼電器主要考慮電路板安裝布局。對於小型電器，如玩具、遙控裝置則應選用超小型繼電器產品。