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建議看一下CPU 風扇跟其他散熱問題,還有清灰,記憶體顯卡的金手指都清理一下。 再不行就換個顯示器試試
開機後一直按F8 。是一直按不是按住。出來選項後選VGA模式。然後調一下顯示器的解析度和重新整理率 如果是液晶 你可以先選成 1024X768 重新整理率是60HZ 然後重啟試一下。
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查看台式機記憶體條型號資訊
http://jingyan.baidu.com/article/cbcede07c631d602f40b4d33.html
方法一:直接查看。拆開機箱蓋子,小心翼翼把記憶體條拿下來,翻到正面,一般在左邊我們可以看到記憶體條的主要資訊。如所示記憶體條,品牌是金士頓,這個很明顯。主要的資訊要從KVR800D2N6/2G裡面獲得,這款記憶體條是DDR2,主頻率為800,記憶體大小2G。
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方法二:利用第三方軟體查看。下載魯大師安裝,雙擊開啟,軟體自動擷取電腦硬體資訊,點擊左邊選項欄裡面:記憶體資訊。即可在右邊資訊列裡面看到記憶體的詳細資料。
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知道記憶體條的三大資訊後,我們在挑選記憶體條的時候,一定要知道自己要多大的記憶體,多了浪費,少了沒意思。然後選擇是DDR1/DDR2/DDR3,最後是選對主頻。基本上這三條選對了,記憶體條基本就八九不離十了。
SPEAKER就是機箱喇叭的介面,用於警示用的,通常開機時“嘀”的一聲響就是機箱喇叭發出的,硬體出錯也會根據錯誤原因發出不同的響聲,從而判斷是記憶體、顯卡、硬碟等裝置的原因。
紅的是正,黑的負,speaker就兩個介面,接對了就行,如果你拔掉顯卡,開機不響就說明你的喇叭有問題了。
圖1就是三代記憶體的全家照,從上到下分別是DDR3、DDR2、DDR。大家牢牢記住它們的樣子,因為後面的內容會提到這幅圖。
防呆缺口:位置不同防插錯
圖1紅圈圈起來的就是我們說的防呆缺口,目的是讓我們安裝記憶體時以免插錯。我們從圖1可以看見三代記憶體上都只有一個防呆缺口,大家注意一下這三個卡口的左右兩邊的金屬片,就可以發現缺口左右兩邊的金屬片數量是不同的。
比如DDR 記憶體單面金手指標腳數量為92個(雙面184個),缺口左邊為52個針腳,缺口右邊為40個針腳;DDR2 記憶體單面金手指120個(雙面240個),缺口左邊為64個針腳,缺口右邊為56個針腳;DDR3記憶體單面金手指也是120個(雙面240個),缺口左邊為72個針腳,缺口右邊為48個針腳。
晶片封裝:濃縮是精華
在不同的記憶體條上,都分布了不同數量的塊狀顆粒,它就是我們所說的記憶體顆粒。同時我們也注意到,不同規格的記憶體,記憶體顆粒的外形和體積不太一樣,這是因為記憶體顆粒“封裝”技術的不同導致的。一般來說,DDR記憶體採用了TSOP(Thin Small Outline Package,薄型小尺寸封裝)封裝技術,又長又大。而DDR2和DDR3記憶體均採用FBGA(底部球形引腳封裝)封裝技術,與TSOP相比,記憶體顆粒就小巧很多,FBGA封裝形式在抗幹擾、散熱等方面優勢明顯。
TSOP是記憶體顆粒通過引腳(圖2黃色框)焊接在記憶體PCB上的,引腳由顆粒向四周引出,所以肉眼可以看到顆粒與記憶體PCB介面處有很多金屬柱狀觸點,並且顆粒封裝的外形尺寸較大,呈長方形,其優點是成本低、工藝要求不高,但焊點和PCB的接觸面積較小,使得DDR記憶體的傳導效果較差,容易受幹擾,散熱也不夠理想。
FBGA封裝把DDR2和DDR3記憶體的顆粒做成了正方形(圖3),而且體積大約只有DDR記憶體顆粒的三分之一,記憶體PCB上也看不到DDR記憶體晶片上的柱狀金屬觸點,因為其柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面,所有的觸點就被“包裹”起來了,外面自然看不到。其優點是有效地縮短了訊號的傳導距離。
速度與容量:成倍提升
前面我們教大家如何計算記憶體頻寬大小,其實我們在選擇記憶體和CPU搭配的時候就是看記憶體頻寬是否大於或者等於CPU的頻寬,這樣才可以滿足CPU的資料轉送要求。
而我們從頻寬公式(頻寬=位寬×頻率÷8)可以得知,和頻寬關係最緊密的就是頻率。這也是為什麼三代記憶體等效頻率一升再升的原因之一,其目的就是為了滿足CPU的頻寬。
不僅速度上有所提升,而且隨著我們應用的提高,我們也需要更大容量的單根記憶體,DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的記憶體,而到了DDR2時代,兩根1GB記憶體就只是標準配置了,記憶體容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今後還會有單根8GB的記憶體出現。這說明了人們的對記憶體容量的要求在不斷提高。
延遲值:一代比一代高
任何記憶體都有一個CAS延遲值,這就好像甲命令乙做事情,乙需要思考的時間一樣。一般而言,記憶體的延遲值越小,傳輸速度越快。
從DDR、DDR2、DDR3記憶體身上看到,雖然它們的傳輸速度越來越快,頻率越來越高,容量也越來越大,但延遲值卻提高了,譬如DDR記憶體的延遲值(第一位元值大小最重要,普通使用者關注第一位延遲值就可以了)為1.5、2、2.5、3;而到了DDR2時代,延遲值提升到了3、4、5、6;到了DDR3時代,延遲值也繼續提升到了5、6、7、8或更高。
功耗:一次又一次降低
電子產品要正常工作,肯定要有電。有電,就需要工作電壓,該電壓是通過金手指從主板上的記憶體插槽擷取的,記憶體電壓的高低,也反映了記憶體工作的實際功耗。一般而言,記憶體功耗越低,發熱量也越低,工作也更穩定。DDR記憶體的工作電壓為2.5V,其工作功耗在10W左右;而到了DDR2時代,工作電壓從2.5V降至1.8V;到了DDR3記憶體時代,工作電壓從1.8V降至1.5V,相比DDR2可以節省30%~40%的功耗。為此我們也看到,從DDR記憶體發展到DDR3記憶體,儘管記憶體頻寬大幅提升,但功耗反而降低,此時記憶體的超頻性、穩定性等都得到進一步提高。
製造工藝:不斷提高
從DDR到DDR2再到DDR3記憶體,其製造工藝都在不斷改善,更高的工藝水平會使記憶體電氣效能更好,成本更低。譬如DDR記憶體顆粒廣泛採用0.13微米製造工藝,而DDR2顆粒採用了0.09微米製造工藝,DDR3顆粒則採用了全新65nm製造工藝(1微米=1000納米)。
總結
記憶體的知識就講到這裡了,總的說來,記憶體主要扮演著CPU資料倉儲的角色,所以CPU效能的提升,記憶體的容量與效能都要跟得上,但也不可盲目地把記憶體容量配得過大。對於大多數使用者來說2GB DDR2 800的記憶體就足夠了,而偏高端一點的電腦使用總容量為4GB的記憶體就差不多了。
實體記憶體和虛擬記憶體
實體記憶體就是我們所能見到的記憶體條。而虛擬記憶體就是“假”的記憶體條,它是在硬碟上開闢的一個用於儲存的空間,對於實體記憶體來說,它是一種擴充和補充。當記憶體空間緊張時,系統就會將一些暫時用不到的資料轉存到虛擬記憶體當中。這就像在一個流動倉庫中,管理員把一些滯銷的貨物先移到後備倉庫去,將空間騰出來留給那些經常進出倉庫的貨物使用。
DIMM
DIMM的全稱是Dual Inline Memory Module(雙列直插記憶體模組),我們可以簡單地將它理解為記憶體插槽的類型。從最初的SDRAM DIMM到DDR DIMM,再到現在的DDR2 DIMM,幾種類型所規定的針腳(即金手指)數量、針腳定義防呆缺口等等都不相同,不能混用。