DDR 參數 記憶體延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS”

標籤：

Speed Grade ( DataRate/CL-tRCD-tRP)
- 1066 Mbps / 7-7-7
- 800 Mbps / 5-5-5

 

DataRate   資料速率 800，1066,1333,1600,甚至2000MHz

CL-tRCD-tRP  時序

1、CL（CAS Latency）：“記憶體讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”（可能的選項：1.5/2/2.5/3）
    BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。這個參數很重要，記憶體條上一般都有這個參數標記。在BIOS設定中DDR記憶體的CAS參數選項通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3” 幾種選擇，SDRAM則只有“2”、“3”兩個選項。較低的CAS周期能減少記憶體的潛伏周期以提高記憶體的工作效率。因此只要能夠穩定運行作業系統，我們應當盡量把CAS參數調低。反過來，如果記憶體運行不穩定，可以將此參數設大，以提高記憶體穩定性。

2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行定址至列定址延遲時間”（可能的選項：2/3/4/5）
    BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。數值越小，效能越好。

3、tRP(RAS Precharge Time): “記憶體行地址控制器預充電時間”（可能的選項：2/3/4）
    BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。預充電參數越小則記憶體讀寫速度就越快。

4.tRAS(RAS Active Time): “記憶體行有效至預充電的最短周期”（可能的選項：1……5/6/7……15）
    BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等 

DDR 參數 記憶體延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS”