記憶體晶片的主要的參數

1.CAS （Column Address Strobe，列地址選通訊號），準確的說應該是CL（CAS Latency，縱列存取延遲時間），它用刻度數表示。在某一固定外頻下，其數值越小越好，一般為2個刻度。另外還有RAS（Row Address Strobe，行地址選通訊號），它和CAS一起確定其它裝置在記憶體中的訪問地址。
　　2.tAC資料存取時間。一般是6ns或6.5ns，其值越小越好。
　　3.tRCDRAS相對於CAS的延時。以刻度數表示，一般為2。
　　4.tRPRAS預充電時間。以刻度數表示，一般為2。
　　5.tCLK刻度。PC100不大於10ns，PC133不大於7.5ns。tCLK決定記憶體晶片的額定最高工作頻率。額定最高工作頻率=1000/tCLK，如：tCLK=10ns，則額定最高工作頻率=100MHz。
　　6.Burst Cycle Time突發周期時間。不大於8ns。
　　7.SPD（Serial Presence Detect）是一顆焊於電路板上的8針、256位元組的EEPROM晶片，面積4mm×3mm，型號多為24LC01B。其內部記錄著記憶體的速度、容量、行/列地址、電壓等基本參數。如果主板支援SPD，開機時BIOS將讀取SPD內的資訊，保證系統的穩定。SPD是識別PC100及PC133記憶體的一個重要標誌。
　　按以上參數，最差的PC100記憶體晶片應該是tAC=6ns，tCLK=10ns，tRCD=20ns，tRP=20ns，突發周期=8ns。由於Intel公司及威盛電子都沒有定義標記PC100及PC133記憶體的方法，所以各晶片廠商用自己的方法標記記憶體晶片。而一些廠商將突發周期數印在晶片上，甚至是將tAC值印在晶片上，又不加特殊說明，造成市場上出現了眾多的“8ns”、“6ns”記憶體條，使JS有機可乘，也導致DIYer們被誤導。