Nandflash 驅動移植 （一）

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Nandflash 驅動移植 （一）

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Nandflash 驅動移植 （三）

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Nandflash 驅動移植 （六）

一共六篇

 

 

前段時間，研究了一下4G的Nandflash驅動。手頭上只有飛淩6410BSP內建的Nandflash驅動，該驅動不支援K9GAG08U0D（2G）和K9LBG08U0D（4G）的Nandflash。所以就要先把這個Nandflash驅動搞成支援K9GAG08U0D（2G）的。

接下來要弄的就是支援K9LBG08U0D（4G）的Nandflash。由於TE6410板子用的是K9GAG08U0D（2G）的Nandflash，所以先移植到支援這個Nandflash的，再進一步修改成支援K9LBG08U0D的。

移植之前，先讓我們來對比下K9GAG08U0D（2G）和K9LBG08U0D（4G）兩個Nandflash：

K9GAG08U0D（2G）：

• Organization
   - Memory Cell Array : (2G + 109M) x 8bit
   - Data Register        : (4K + 218) x 8bit  
 • Automatic Program and Erase
   - Page Program : (4K + 218)Byte
   - Block Erase     : (512K + 27.25K)Byte
 • Page Read Operation
   - Page Size : (4K + 218)Byte
   - Random Read : 60 µ s(Max.)
   - Serial  Access : 30ns(Min.)
 • Memory Cell : 2bit / Memory Cell

K9LBG08U0D（4G）：

Organization
   - Memory Cell Array : (2G + 109M) x 8bit（文檔這裡是寫的2G，也不知道是不是三星那個寫文檔的人搞錯了，明明是4G，怎麼寫的是2G）
   - Data Register        : (4K + 218) x 8bit  
 • Automatic Program and Erase
   - Page Program : (4K + 218)Byte
   - Block Erase     : (512K + 27.25K)Byte
 • Page Read Operation
   - Page Size : (4K + 218)Byte
   - Random Read : 60 µ s(Max.)
   - Serial  Access : 30ns(Min.)
    *K9MDG08U5D: 50ns(Min.)
 • Memory Cell : 2bit / Memory Cell

兩個Nandflash都是4K 頁 218備用區的，這樣就更好辦了。而且這兩個都可以直接使用8bit的ECC，剛好6410最大就能支援到8bit的ECC校正。

咱們再來看一下這個8BIT 的ECC校正流程：

現在暫時到這裡，下一篇將介紹6410中的NFCON控制寄存器部分。