nand flash 裸板驅動，介紹的比較精闢

NAND Flash的驅動程式設計

http://www.usr.cc/html/99/n-599.html

1. 硬體特性：
【Flash的硬體實現機制】
Flash全名叫做Flash Memory，屬於非易失性存放裝置(Non-volatile Memory Device)，與此相對應的是易失性存放裝置(Volatile Memory Device)。關於什麼是非易失性/易失性，從名字中就可以看出，非易失性就是不容易丟失，資料存放區在這類裝置中，即使斷電了，也不會丟失，這類裝置，除了Flash，還有其他比較常見的入硬碟，ROM等，與此相對的，易失性就是斷電了，資料就丟失了，比如大家常用的記憶體，不論是以前的SDRAM，DDR SDRAM，還是現在的DDR2，DDR3等，都是斷電後，資料就沒了。
Flash的內部儲存是MOSFET，裡面有個懸浮門(Floating Gate)，是真正儲存資料的單元。
在Flash之前，紫外線可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已經採用用Floating Gate儲存資料這一技術了。

資料在Flash記憶體單元中是以電荷(electrical charge)形式儲存的。儲存電荷的多少，取決於圖中的外部門（external gate）所被施加的電壓，其控制了是向儲存單元中沖入電荷還是使其釋放電荷。而資料的表示，以所儲存的電荷的電壓是否超過一個特定的閾值Vth來表示。

【SLC和MLC的實現機制】
Nand Flash按照內部儲存資料單元的電壓的不同層次，也就是單個記憶體單元中，是儲存1位元據，還是多位元據，可以分為SLC和MLC：
1. SLC，Single Level Cell:
單個儲存單元，只儲存一位元據，表示成1或0.
就是上面介紹的，對於資料的表示，單個儲存單元中內部所儲存電荷的電壓，和某個特定的閾值電壓Vth，相比，如果大於此Vth值，就是表示1，反之，小於Vth，就表示0.
對於nand Flash的資料的寫入1，就是控制External Gate去充電，使得儲存的電荷夠多，超過閾值Vth，就表示1了。而對於寫入0，就是將其放電，電荷減少到小於Vth，就表示0了。
關於為何Nand Flash不能從0變成1，我的理解是，物理上來說，是可以實現每一位的，從0變成1的，但是實際上，對於實際的物理實現，出於效率的考慮，如果對於，每一個儲存單元都能單獨控制，即，0變成1就是，對每一個儲存單元單獨去充電，所需要的硬體實現就很複雜和昂貴，同時，所進行對塊擦除的操作，也就無法實現之前的，一閃而過的速度了，也就失去了Flash的眾多特性了。

2. MLC，Multi Level Cell：
與SLC相對應，就是單個儲存單元，可以儲存多個位，比如2位，4位等。其實現機制，說起來比較簡單，就是，通過控制內部電荷的多少，分成多個閾值，通過控制裡面的電荷多少，而達到我們所需要的儲存成不同的資料。比如，假設輸入電壓是Vin＝4V（實際沒有這樣的電壓，此處只是為了舉例方便），那麼，可以設計出2的2次方＝4個閾值，1/4的Vin＝1V，2/4的Vin＝2V，3/4的Vin＝3V，Vin＝4V，分別表示2位元據00，01，10，11，對於寫入資料，就是充電，通過控制內部的電荷的多少，對應表示不同的資料。
對於讀取，則是通過對應的內部的電流（與Vth成反比），然後通過一系列解碼電路完成讀取，解析出所儲存的資料。這些具體的物理實現，都是有足夠精確的裝置和技術，才能實現精確的資料寫入和讀出的。
單個儲存單元可以儲存2位元據的，稱作2的2次方＝4 Level Cell，而不是2 Level Cell，這點，之前差點搞暈了。。。，同理，對於新出的單個儲存單元可以儲存4位元據的，稱作2的4次方＝16 Level Cell。

【關於如何識別SLC還是MLC】
Nand Flash設計中，有個命令叫做Read ID，讀取ID，意思是讀取晶片的ID，就像大家的身份證一樣，這裡讀取的ID中，是讀取好幾個位元組，一般最少是4個，新的晶片，支援5個甚至更多，從這些位元組中，可以解析出很多相關的資訊，比如此Nand Flash內部是幾個晶片（chip）所組成的，每個chip包含了幾片（Plane），每一片中的頁大小，塊大小，等等。在這些資訊中，其中有一個，就是識別此flash是SLC還是MLC。下面這個就是最常見的Nand Flash的datasheet中所規定的，第3個位元組，3rd byte，所表示的資訊，其中就有SLC/MLC的識別資訊：

http://www.usr.cc/html/00/n-600.html

是常見的Nand Flash所擁有的引腳（Pin）所對應的功能，簡單翻譯如下：
1. I/O0 ~ I/O7：用於輸入地址/資料/命令，輸出資料
2. CLE：Command Latch Enable，命令鎖存使能，在輸入命令之前，要先在模式寄存器中，設定CLE使能
3. ALE：Address Latch Enable，地址鎖存使能，在輸入地址之前，要先在模式寄存器中，設定ALE使能
4. CE#：Chip Enable，晶片使能，在操作Nand Flash之前，要先選中此晶片，才能操作
5. RE#：Read Enable，讀使能，在讀取資料之前，要先使CE＃有效。
6. WE#：Write Enable，寫使能,在寫取資料之前，要先使WE＃有效。
7. WP#：Write Protect，防寫保護
8. R/B#:Ready/Busy Output,就緒/忙,主要用於在發送完編程/擦除命令後,檢測這些操作是否完成,忙,表示編程/擦除操作仍在進行中,就緒表示操作完成.
9. Vcc：Power，電源
10. Vss：Ground，接地
11. N.C：Non-Connection,未定義，未串連。
[小常識]
在資料手冊中，你常會看到，對於一個引腳定義，有些字母上面帶一橫杠的，那是說明此引腳/訊號是低電平有效，比如你上面看到的RE頭上有個橫線，就是說明，此RE是低電平有效，此外，為了書寫方便，在字母后面加“＃”，也是表示低電平有效，比如我上面寫的CE＃；如果字母頭上啥都沒有，就是預設的高電平有效，比如上面的CLE，就是高電平有效。還有的是在前面加個小n,例如nRE,這也是表示低電平有效。
【為何需要ALE和CLE】
突然想明白了，Nand Flash中,為何設計這麼多的命令,把整個系統搞這麼複雜的原因了:
比如命令鎖存使能(Command Latch Enable,CLE)和地址鎖存使能(Address Latch Enable，ALE)，那是因為，Nand Flash就8個I/O，而且是複用的，也就是，可以傳資料，也可以傳地址，也可以傳命令，為了區分你當前傳入的到底是啥，所以，先要用發一個CLE（或ALE）命令，告訴nand Flash的控制器一聲，我下面要傳的是命令（或地址），這樣，裡面才能根據傳入的內容，進行對應的動作。否則,nand flash內部,怎麼知道你傳入的是資料,還是地址,還是命令啊,也就無法實現正確的操作了.

【Nand Flash只有8個I/O引腳的好處】
1. 減少外圍引腳：相對於並口(Parellel)的Nor Flash的48或52個引腳來說，的確是大大減小了引腳數目，這樣封裝後的晶片體積，就小很多。現在晶片在向體積更小，功能更強，功耗更低發展，減小晶片體積，就是很大的優勢。同時，減少晶片介面，也意味著使用此晶片的相關的外圍電路會更簡化，避免了繁瑣的硬體連線。
2. 提高系統的可擴充性，因為沒有像其他裝置一樣用物理大小對應的完全數目的addr引腳，在晶片內部換了晶片的大小等的改動，對於用全部的地址addr的引腳，那麼就會引起這些引腳數目的增加，比如容量擴大一倍，地址空間/定址空間擴大一倍，所以，地址線數目/addr引腳數目，就要多加一個，而對於統一用8個I/O的引腳的Nand Flash，由於對外提供的都是統一的8個引腳，內部的晶片大小的變化或者其他的變化，對於外部使用者(比如編寫nand flash驅動的人)來說，不需要關心，只是保證新的晶片，還是遵循同樣的介面，同樣的時序，同樣的命令，就可以了。這樣就提高了系統的擴充性

【Nand flash的一些典型(typical)特性】
1.頁擦除時間是200us，有些慢的有800us。
2.塊擦除時間是1.5ms.
3.頁資料讀取到資料寄存器的時間一般是20us。
4.串列訪問（Serial access）讀取一個資料的時間是25ns，而一些舊的nand flash是30ns，甚至是50ns。
5.輸入輸出連接埠是地址和資料以及命令一起multiplex複用的。
以前老的Nand Flash，編程/擦除時間比較短，比如K9G8G08U0M，才5K次，而後來很多6.nand flash的編程/擦除的壽命，最多允許的次數，以前的nand flash多數是10K次，也就是1萬次，而現在很多新的nand flash，技術提高了，比如，Micron的MT29F1GxxABB，Numonyx的NAND04G-B2D/NAND08G-BxC，都可以達到100K，也就是10萬次的編程/擦除。和之前常見的Nor Flash達到同樣的使用壽命了。
6. 48引腳的TSOP1(K9F1208UOM)封裝或 52引腳的ULGA封裝
【Nand Flash中的特殊硬體結構】
由於nand flash相對其他常見裝置來說，比較特殊，所以，特殊的裝置，也有特殊的設計，所以，有些特殊的硬體特性，就有必要解釋一下：
1. 頁寄存器（Page Register）：由於Nand Flash讀取和編程操作來說，一般最小單位是頁，所以，nand flash在硬體設計時候，就考慮到這一特性，對於每一片，都有一個對應的地區，專門用於存放，將要寫入到實體儲存體單元中去的或者剛從儲存單元中讀取出來的，一頁的資料，這個資料緩衝區，本質上就是一個buffer，但是只是名字叫法不同，datasheet裡面叫做Page Register，此處翻譯為頁寄存器，實際理解為頁緩衝，更為恰當些。而正是因為有些人不瞭解此內部結構，才容易產生之前遇到的誤解：以為記憶體裡面的資料，通過Nand Flash的FIFO，寫入到Nand Flash裡面去，就以為立刻實現了實際資料寫入到實體儲存體單元中了。而實際上，只是寫到了這個頁緩衝中，只有等你發了對應的編程第二階段的確認命令0x10之後，實際的編程動作才開始，才開始把頁緩衝中的資料，一點點寫到實體儲存體單元中去。這也是為什麼發完命令0x10之後需要等待一段時間的原因。
所以，簡單總結一下就是，對於資料的流向，實際是經過了如下步驟：

圖4 Nand Flash讀寫時的資料流向
【Nand Flash中的壞塊(Bad Block)】
Nand Flash中，一個塊中含有1個或多個位是壞的，就成為其為壞塊。
壞塊的穩定性是無法保證的，也就是說，不能保證你寫入的資料是對的，或者寫入對了，讀出來也不一定對的。而正常的塊，肯定是寫入讀出都是正常的。
壞塊有兩種：
（1）一種是出廠的時候，也就是，你買到的新的，還沒用過的Nand Flash，就可以包含了壞塊。此類出廠時就有的壞塊，被稱作factory (masked)bad block或initial bad/invalid block，在出廠之前，就會做對應的標記，標為壞塊。
具體標記的地方是，對於現在常見的頁大小為2K的Nand Flash，是塊中第一個頁的oob起始位置（關於什麼是頁和oob，下面會有詳細解釋）的第1個位元組（舊的小頁面，pagesize是512B甚至256B的nand flash，壞塊標記是第6個位元組），如果不是0xFF，就說明是壞塊。相對應的是，所有正常的塊，好的塊，裡面所有資料都是0xFF的。
（2）第二類叫做在使用過程中產生的，由於使用過程時間長了，在擦塊除的時候，出錯了，說明此塊壞了，也要在程式運行過程中，發現，並且標記成壞塊的。具體標記的位置，和上面一樣。這類塊叫做worn-out bad block。

對於坏塊的管理，在Linux系統中，叫做壞塊管理（BBM，Bad Block Managment），對應的會有一個表去記錄好塊，壞塊的資訊，以及壞塊是出廠就有的，還是後來使用產生的，這個表叫做壞塊表（BBT，Bad Block Table）。在Linux核心MTD架構下的Nand Flash驅動，和Uboot中Nand Flash驅動中，在載入完驅動之後，如果你沒有加入參數主動要求跳過壞塊掃描的話，那麼都會去主動掃描壞塊，建立必要的BBT的，以備後面壞塊管理所使用。（這樣每次使用之之前，都會自動掃描一下，建立BBT，這樣就可以跳過懷塊進行別的方面的處理了）

而關於好塊和壞塊，Nand Flash在出廠的時候，會做出保證：
1.關於好的，可以使用的塊的數目達到一定的數目，比如三星的K9G8G08U0M，整個flash一共有4096個塊，出廠的時候，保證好的塊至少大於3996個，也就是意思是，你新買到這個型號的nand flash，最壞的可能，有3096－3996＝100個壞塊。不過，事實上，現在出廠時的壞塊，比較少，絕大多數，都是使用時間長了，在使用過程中出現的。
2.保證第一個塊是好的，並且一般相對來說比較耐用。做此保證的主要原因是，很多Nand Flash壞塊管理方法中，就是將第一個塊，用來儲存上面提到的BBT，否則，都是出錯幾率一樣的塊，那麼也就不太好管理了，連放BBT的地方，都不好找了，^_^。

一般來說，不同型號的Nand Flash的資料手冊中，也會提到，自己的這個nand flash，最多允許多少個壞塊。就比如上面提到的，三星的K9G8G08U0M，最多有100個壞塊。

對於坏塊的標記，本質上，也只是對應的flash上的某些位元組的資料是非0xFF而已，所以，只要是資料，就是可以讀取和寫入的。也就意味著，可以寫入其他值，也就把這個壞塊標記資訊破壞了。對於出廠時的壞塊，一般是不建議將標記好的資訊擦除掉的。
uboot中有個命令是“nand scrub”就可以將塊中所有的內容都擦除了，包括壞塊標記，不論是出廠時的，還是後來使用過程中出現而新標記的。一般來說，不建議用這個。不過，我倒是經常用，其實也沒啥大礙，呵呵。
最好用“nand erase”只擦除好的塊，對於已經標記壞塊的塊，不擦除。

【nand Flash中頁的訪問順序】
在一個塊內，對每一個頁進行編程的話，必須是順序的，而不能是隨機的。比如，一個塊中有128個頁，那麼你只能先對page0編程，再對page1編程，。。。。，而不能隨機的，比如先對page3，再page1，page2.，page0，page4，.。。。

【片選無關(CE don’t-care)技術】沒明白什麼意思？
很多Nand flash支援一個叫做CE don’t-care的技術，字面意思就是，不關心是否片選，
那有人會問了，如果不片選，那還能對其操作嗎？答案就是，這個技術，主要用在當時是不需要選中晶片卻還可以繼續操作的這些情況：在某些應用，比如錄音，音頻播放等應用中，外部使用的微秒（us）級的刻度，此處假設是比較少的2us，在進行讀取一頁或者對頁編程時，是對Nand Flash操作，這樣的串列（Serial Access）訪問的周期都是20/30/50ns，都是納秒（ns）級的，此處假設是50ns，當你已經發了對應的讀或寫的命令之後，接下來只是需要Nand Flash內部去自己操作，將資料讀取或寫入進去到內部的資料寄存器中而已，此處，如果可以把片選取消，CE#是低電平有效，取消片選就是拉高電平，這樣會在下一個外部命令發送過來之前，即微秒量級的時間裡面，即2us－50ns≈2us，這段時間的取消片選，可以降低很少的系統功耗，但是多次的操作，就可以在很大程度上降低整體的功耗了。
總結起來簡單解釋就是：由於某些外部應用的頻率比較低，
【讀（read）操作過程詳解】
以最簡單的read操作為例，解釋如何理解時序圖，以及將時序圖
中的要求，轉化為代碼。

解釋時序圖之前，讓我們先要搞清楚，我們要做的事情：那就是，要從nand flash的某個頁裡面，讀取我們要的資料。要實現此功能，會涉及到幾部分的知識，至少很容易想到的就是：需要用到哪些命令，怎麼發這些命令，怎麼計算所需要的地址，怎麼讀取我們要的資料等等。
下面，就一步步的解釋，需要做什麼，以及如何去做：
1.需要使用何種命令
首先，是要瞭解，對於讀取資料，要用什麼命令。
下面是datasheet中的命令集合：

圖5.Nand Flash K9K8G08U0A的命令集合
很容易看出，我們要讀取資料，要用到Read命令，該命令需要2個周期，第一個周期發0x00，第二個周期發0x30。

2.發送命令前的準備工作以及時序圖各個訊號的具體含義
知道了用何命令後，再去瞭解如何發送這些命令。
[小常識]
在開始解釋前，多羅嗦一下”使能”這個詞，以便有些讀者和我以前一樣，在聽這類雖然對於某些專業人士說是屬於最基本的詞彙了，但是對於初次接觸，或者接觸不多的人來說，聽多了，容易被搞得一頭霧水：使能（Enable），是指使其（某個訊號）有效，使其生效的意思，“使其”“能夠”怎麼怎麼樣。。。。比如，上面圖中的CLE線號，是高電平有效，如果此時將其設為高電平，我們就叫做，將CLE使能，也就是使其生效的意思。

圖6.Nand Flash資料讀取操作的時序圖
註：此圖來自三星的型號K9K8G08U0A的nand flash的資料手冊(datasheet)。

我們來一起看看，我在圖6中的特意標註的①邊上的黃色豎線。
黃色豎線所處的時刻，是在發送讀操作的第一個周期的命令0x00之前的那一刻。
讓我們看看，在那一刻，其所穿過好幾行都對應什麼值，以及進一步理解，為何要那個值。
（1）黃色豎線穿過的第一行，是CLE。還記得前面介紹命令所存使能（CLE）那個引腳吧？CLE，將CLE置1，就說明你將要通過I/O複用連接埠發送進入Nand Flash的，是命令，而不是地址或者其他類型的資料。只有這樣將CLE置1，使其有效，才能去通知了內部硬體邏輯，你接下來將收到的是命令，內部硬體邏輯，才會將受到的命令，放到命令寄存器中，才能實現後面正確的操作，否則，不去將CLE置1使其有效，硬體會無所適從，不知道你傳入的到底是資料還是命令了。
（2）而第二行，是CE#，那一刻的值是0。這個道理很簡單，你既然要向Nand Flash發命令，那麼先要選中它，所以，要保證CE#為低電平，使其有效，也就是片選有效。
（3）第三行是WE#，意思是寫使能。因為接下來是往nand Flash裡面寫命令，所以，要使得WE#有效，所以設為低電平。
（4）第四行，是ALE是低電平，而ALE是高電平有效，此時意思就是使其無效。而對應地，前面介紹的，使CLE有效，因為將要資料的是命令，而不是地址。如果在其他某些場合，比如接下來的要輸入地址的時候，就要使其有效，而使CLE無效了。
（5）第五行，RE#，此時是高電平，無效。可以看到，知道後面第6階段，才變成低電平，才有效，因為那時候，要發生讀取命令，去讀取資料。
（6）第六行，就是我們重點要介紹的，複用的輸入輸出I/O連接埠了，此刻，還沒有輸入資料，接下來，在不同的階段，會輸入或輸出不同的資料/地址。
（7）第七行，R/B#,高電平，表示R（Ready）/就緒，因為到了後面的第5階段，硬體內部，在第四階段，接受了外界的讀取命令後，把該頁的資料一點點送到頁寄存器中，這段時間，屬於系統在忙著幹活，屬於忙的階段，所以，R/B#才變成低，表示Busy忙的狀態的。
介紹了時刻①的各個訊號的值，以及為何是這個值之後，相信，後面的各個時刻，對應的不同訊號的各個值，大家就會自己慢慢分析了，也就容易理解具體的操作順序和原理了。

3.如何計算出，我們要傳入的地址
在介紹具體讀取資料的詳細流程之前，還要做一件事，那就是，先要搞懂我們要訪問的地址，以及這些地址，如何分解後，一點點傳入進去，使得硬體能識別才行。
此處還是以K9K8G08U0A為例，此nand flash，一共有8192個塊，每個塊內有64頁，每個頁是2K+64 Bytes，假設，我們要訪問其中的第7000個塊中的第25頁中的1208位元組處的地址，此時，我們就要先把具體的地址算出來：
物理地址=塊大小×塊號+頁大小×頁號+頁內地址=7000×128K+64×2K+1208=0x36B204B8（917636280）,接下來，我們就看看，怎麼才能把這個實際的物理地址，轉化為nand Flash所要求的格式。
在解釋地址組成之前，先要來看看其datasheet中關於地址周期的介紹：

圖7 Nand Flash的地址周期組成
結合圖7和圖5中的2，3階段，我們可以看出，此nand flash地址周期共有5個，2個列(Column)周期，3個行（Row）周期。而對於對應地，我們可以看出，實際上，列地址A0~A10，就是頁內地址，位址範圍是從0到2047，而對於多出的A11，理論上可以表示2048～4095，但是實際上，我們最多也只用到了2048～2011，用於表示頁內的oob地區，其大小是64位元組。
對應地，A12～A30，稱作頁號，頁的號碼，可以定位到具體是哪一個頁。而其中，A18～A30，表示對應的塊號，即屬於哪個塊。
簡單解釋完了地址組成，那麼就很容易分析上面例子中的地址了：
0x36B204B8 = 00110110 10110010 00000100 1011 1000，分別分配到5個地址周期就是：

36 B2 04 B8
00110110 10110010 0000 0100 1011 1000
A11-A8 A7-A0
A19-A12
A27-A20
A30-A28
1st周期，A7～A0 ：1011 1000=0x B8
2nd周期，A11～A8 ：0000 0100 = 0x04(這裡的高四位的0不是原資料中的，而是硬體要求的)
3rd周期，A19～A12 ：0010 0000 = 0x20
4th周期，A27～A20 ：0110 1011 = 0x6B
5th周期，A30～A28 ：0000 0011 = 0x03
注意，與圖7中對應的，*L，意思是地電平，由於未用到那些位，datasheet中強制要求設為0，所以，才有上面的2nd周期中的高4位是0000.其他的A30之後的位也是類似原理，都是0。
因此，接下來要介紹的，我們要訪問第7000個塊中的第25頁中的1208位元組處的話，所要傳入的地址就是分5個周期，分別傳入兩個列地址的：0xB8，0x04，然後再傳3個行地址的：0x20，0x6B，0x03，這樣硬體才能識別。

4.讀操作過程的解釋
準備工作終於完了，下面就可以開始解釋說明，對於讀操作的，上面圖中標出來的，1-6個階段，具體是什麼含義。
（1） 操作準備階段：此處是讀（Read）操作，所以，先發一個圖5中讀命令的第一個階段的0x00,表示，讓硬體先準備一下，接下來的操作是讀。
（2） 發送兩個周期的列地址。也就是頁內地址，表示，我要從一個頁的什麼位置開始讀取資料。
（3） 接下來再傳入三個行地址。對應的也就是頁號。
（4） 然後再發一個讀操作的第二個周期的命令0x30。接下來，就是硬體內部自己的事情了。
（5） Nand Flash內部硬體邏輯，負責去按照你的要求，根據傳入的地址，找到哪個塊中的哪個頁，然後把整個這一頁的資料，都一點點搬運到頁緩衝中去。而在此期間，你所能做的事，也就只需要去讀取狀態寄存器，看看對應的位的值，也就是R/B#那一位，是1還是0，0的話，就表示，系統是busy，仍在”忙“（著讀取資料），如果是1，就說系統活幹完了，忙清了，已經把整個頁的資料都搬運到頁緩衝裡去了，你可以接下來讀取你要的資料了。
對於這裡。估計有人會問了，這一個頁一共2048+64位元組，如果我傳入的頁內地址，就像上面給的1208一類的值，只是想讀取1028到2011這部分資料，而不是頁開始的0地址整個頁的資料，那麼內部硬體卻讀取整個頁的資料出來，豈不是很浪費嗎？答案是，的確很浪費，效率看起來不高，但是實際就是這麼做的，而且本身讀取整個頁的資料，相對時間並不長，而且讀出來之後，內部資料指標會定位到你剛才所制定的1208的那個位置。
（6） 接下來，就是你“竊取“系統忙了半天之後的勞動成果的時候了，呵呵。通過先去Nand Flash的控制器中的資料寄存器中寫入你要讀取多少個位元組(byte)/字(word)，然後就可以去Nand Flash的控制器的FIFO中，一點點讀取你要的資料了。
至此，整個Nand Flash的讀操作就完成了。
對於其他動作，可以根據我上面的分析，一點點自己去看datasheet，根據裡面的時序圖去分析具體的操作過程，然後對照代碼，會更加清楚具體是如何?的。

【Flash的類型】
Flash的類型主要分兩種，nand flash和nor flash。
除了網上最流行的這個解釋之外：
NAND和NOR的比較
再多說幾句：
1.nor的成本相對高，具體讀寫資料時候，不容易出錯。總體上，比較適合應用於儲存少量的代碼。
2.Nand flash相對成本低。使用中資料讀寫容易出錯，所以一般都需要有對應的軟體或者硬體的資料校正演算法，統稱為ECC。由於相對來說，容量大，價格便宜，因此適合用來儲存大量的資料。其在嵌入式系統中的作用，相當於PC上的硬碟，用於儲存大量資料。
所以，一個常見的應用組合就是，用小容量的Nor Flash儲存啟動代碼，比如uboot，系統啟動後,初始化對應的硬體，包括SDRAM等，然後將Nand Flash上的Linux核心讀取到記憶體中，做好該做的事情後，就跳轉到SDRAM中去執行核心了，然後核心解壓（如果是壓縮核心的話，否則就直接運行了）後，開始運行，在Linux核心啟動最後，去Nand Flash上，掛載根檔案，比如jffs2，yaffs2等，掛載完成，運行初始化指令碼，啟動consle互動，才運行你通過console和核心互動。至此完成整個系統啟動過程。
而Nor Flash就分別存放的是Uboot，Nand Flash存放的是Linux的核心鏡像和根檔案系統，以及餘下的空間分成一個資料區。

Nor flash，有類似於dram之類的地址匯流排，因此可以直接和CPU相連，CPU可以直接通過地址匯流排對nor flash進行訪問，而nand flash沒有這類的匯流排，只有IO介面，只能通過IO介面發送命令和地址，對nand flash內部資料進行訪問。相比之下，nor flash就像是並行訪問，nand flash就是串列訪問，所以相對來說，前者的速度更快些。
但是由於物理製程/製造方面的原因，導致nor和nand在一些具體操作方面的特性不同：

One Flash
NOR Flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內容的每一位元組（有限的地址引腳是限制其容量的因素之一）。NAND Flash使用複雜的I/O口來串列地存取資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。為了彌補NAND Flash的不足，三星公司在NAND Flash晶片內整合了一個RAM介面，命名為OneNAND Flash，這類Flash擁有與NOR Flash相同的簡單介面，而且不受地址引腳的限制，即容量與地址引腳無關。小結：從操作上來看OneNand比NOR,NAND的操作都要複雜，不過，OneNAND的讀寫效能相當出眾，三星最新的OneNAND產品擁有高達108MBps的資料讀取頻寬，這已達到與NOR快閃記憶體相當的水準—這個速度也遠遠超過了現在的7200轉案頭硬碟。相比之下，常規NAND快閃記憶體的讀取效能只有區區17MBps，兩者存在巨大的效能差異。其次，OneNAND的資料寫入速度達到9.3MBps，雖然遠遠不如108MBps的讀取速度，但相比NAND快閃記憶體的6.8MBps也已經有長足的進步了。與之形成鮮明對比的是，NOR快閃記憶體的寫入速度只有可憐的0.14MBps，幾乎稱得上是慢如蝸牛。在資料擦除方面，OneNAND與NAND的指標相同，都達到64MBps，而NOR快閃記憶體更只有區區0.11MBps，與前兩者完全無法相比。從效能角度來看，OneNAND無論讀、寫還是擦除都明顯淩駕於NAND之上，NOR在寫入/擦除方面的效能與之根本不具可比性，對嵌入式裝置廠商來說，選擇簡單的OneNAND來代替NOR+NAND組合的方案是非常可行的。