下一代英特爾酷睿微體系結構 45納米伺服器

一、全新的創新和增強特性帶來更卓越的性能和能效

　　2007 年下半年，英特爾將開始投產代號為「Penryn」的下一代英特爾酷睿2 處理器家族產品。 Penryn 處理器家族基於英特爾業界領先的 45 納米(nm)高 K 金屬柵極矽制程技術和最新的英特爾酷睿微體系結構增強特性構建而成。 英特爾酷睿微體系結構在英特爾早前大獲成功的革命性微體系結構(當前英特爾至強處理器家族和英特爾酷睿2 處理器家族所用)基礎之上，又進行了重大改進， 這標誌著英特爾在每年推出一種新制程技術及增強型微體系結構或全新微體系結構的道路上又邁出了重大一步。

　　45 納米 Penryn 家族中的雙核處理器擁有 4 億多個電晶體，四核處理器擁有 8 億多個電晶體。 借助全新微體系結構特性，該處理器家族產品還可在頻率不變的情況下實現更高的性能，同時增大 50% 的二級快取記憶體，以及擴展的電源HTTP://www.aliyun.com/zixun/aggregation/6926.html ">管理能力可讓能效表現再上新臺階。 Penryn 家族還採用了近 50 條全新的英特爾SSE4 指令，可進一步加快媒體應用和高性能計算應用的運行速度。

    Penryn 家族將包括全新雙核桌上型電腦處理器、四核桌上型電腦處理器、四核伺服器處理器和雙核移動式處理器。

二、英特爾酷睿微體系結構

    2006 年，英特爾首次在採用 65 納米矽制程技術的英特爾酷睿2 微體系結構處理器中引入了英特爾酷睿微體系結構。 作為第一代多核優化型微體系結構，它擴展了英特爾奔騰M處理器的移動式微體系結構中首次提出的能效理念，並利用諸多全新的領先微體系結構創新特性對其進行了增強，由此實現了業界領先的性能、更高的能效表現和更快的多工處理回應能力。

    英特爾酷睿微體系結構創新特性包括：

　　* 英特爾寬位動態執行

　　* 英特爾智慧功效管理

　　* 英特爾高級智慧快取記憶體

　　* 英特爾智慧記憶體訪問

　　* 英特爾高級數位媒體增強

　　基於英特爾酷睿微體系結構的處理器在多項業界領先的性能指標評測中，均打破了桌上型電腦平臺、移動平臺和主流伺服器平臺的性能紀錄。 (請訪問www.intel.com/performance)例如，65 納米四核英特爾至強處理器可提供相當於上一代伺服器解決方案 2.5x 的性能。 在桌上型電腦方面，基於英特爾酷睿2 雙核處理器的系統能夠以更低的功耗提供高40% 的性能。 在移動平臺方面，基於英特爾酷睿2雙核移動式處理器的筆記本電腦可提供兩倍的多工處理性能，以及更高的能效和更耐久的電池使用時間。

三、英特爾的45納米高 K 金屬柵極制程技術

　　2007 年 1 月，英特爾採用了截然不同的電晶體材料(一種由高 K 柵極電介質和導體組成的新材料)來構建下一代英特爾(R) 酷睿(TM)2 處理器家族內部億萬個 微型 45 納米電晶體，此項技術的推出堪稱40年來電晶體設計領域一項最重大的改進。 這種突破性的電晶體技術不僅能説明英特爾減少影響晶片和 PC設計、尺寸、功耗及成本的電晶體漏電流，而且還能助其連續刷新 PC、筆記本電腦和伺服器處理器的性能紀錄。 通過提高電晶體切換速度，這項突破性技術還能實現更高的內核和匯流排時鐘頻率，從而在功耗和發熱量不變的情況下提升性能。 反過來，這又使得摩爾定律得以(高科技行業定律：電晶體數量每兩年就會增加一倍，由此可在成本潛在降低的同時提供更多性能)在未來十年內繼續發揮效力。

　　與 65 納米技術相比，英特爾 45 納米高 K 矽制程技術可提供以下產品優勢：

　　* 電晶體密度提升近一倍(支援更小的晶片尺寸或更多的電晶體數量)

　　* 電晶體切換功耗降低近 30% < br>
　　* 電晶體切換速度提高 20% 以上，源極漏極漏電率降低5 倍以上

　　* 電晶體柵極氧化層漏電率降低 10 倍以上，從而實現更低的功耗和更耐久的電池使用時間

　　2007 年 1 月，英特爾展 示了全世界第一款 45 納米高 K 處理器，從而有力地證明了自己的制程技術比半導體行業其他廠商領先一年以上。 英特爾聯合創始人戈登·摩爾表示：「高 K 和金屬柵極材料的使用，標誌著自 20 世紀60 年代末多晶矽柵極 MOS 電晶體推出以來，電晶體技術領域最重大的變革。 」