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中芯國際宣佈背照式CMOS感應器開發取得突破

來源：互聯網
上載者：User
關鍵字 感應器 中芯國際 取得 宣佈 更高
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新浪科技訊 HTTP://www.aliyun.com/zixun/aggregation/17197.html">北京時間12月20日晚間消息，中芯國際(NYSE:SMI)今天宣佈， 該公司在背照式CMOS圖像感應器的開發中取得突破，第一款測試晶片即使是在弱光環境下也能取得不錯的圖像效果。
　　
這一背照式處理技術為中芯國際獨立開發，將提供給高端手機的攝像頭。 中芯國際將于2013年與合作夥伴一起生產這款晶片。 中芯國際在背照式處理技術方面的成功將擴大該公司的CMOS圖像感應器產品線，包括500萬或更高圖元的手機攝像頭，以及高性能視頻攝像頭。
　　
相對於前照式CMOS圖像感應器，背照式感應器有著更高的光敏性，有助於智慧手機在黑暗中或室內拍攝出亮度更高、更清晰的照片。 在推動背照式CMOS圖像感應器量產的同時，中芯國際將很快開始開發下一代基於3D積體電路的CMOS圖像感應器技術。

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